Memoria RAM Kingston ValueRAM DDR3L 1600MHz 4GB Non-ECC CL11 SO-DIMM

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Memoria RAM Kingston ValueRAM DDR3L 1600MHz 4GB Non-ECC CL11 SO-DIMM

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Memoria RAM Kingston ValueRAM DDR3L 1600MHz 4GB Non-ECC CL11 SO-DIMM

Peso y dimensiones
Altura 30 mm

Memoria
Latencia CAS 11
Placa de plomo Oro
Diseño de memoria (módulos x tamaño) 1 x 4 GB
Componente para Computadora portátil
Voltaje de memoria 1.35 V
Configuración de módulos 512M x 64
Tiempo activo en fila 35 ns
Buffered memory type Unregistered (unbuffered)
Tipo de memoria interna DDR3L
Memoria interna 4 GB
Velocidad de memoria del reloj 1600 MHz
ECC No
Perfil SPD Si
Tiempo de actualización de ciclo de fila 260 ns

Otras características
Factor de forma 204-pin SO-DIMM

Diseño
JEDEC standard Si

Condiciones ambientales
Intervalo de temperatura operativa 0 - 85 °C
Intervalo de temperatura de almacenaje -55 - 100 °C

Este producto no tiene combinaciones válidas.


KVR16LS11/4WP KVR16LS11/4WP KINGSTON 0740617317459
Memoria RAM Kingston ValueRAM DDR3L 1600MHz 4GB Non-ECC CL11 SO-DIMM Peso y dimensiones Altura 30 mm Memoria Latencia CAS 11 Placa de plomo Oro Diseño de memoria (módulos x tamaño) 1 x 4 GB Componente para Computadora portátil Voltaje de memoria 1.35 V Configuración de módulos 512M x 64 Tiempo activo en fila 35 ns Buffered memory type Unregistered (unbuffered) Tipo de memoria interna DDR3L Memoria interna 4 GB Velocidad de memoria del reloj 1600 MHz ECC No Perfil SPD Si Tiempo de actualización de ciclo de fila 260 ns Otras características Factor de forma 204-pin SO-DIMM Diseño JEDEC standard Si Condiciones ambientales Intervalo de temperatura operativa 0 - 85 °C Intervalo de temperatura de almacenaje -55 - 100 °C
GTIN 740617317459
Dimensiones 1.00x4.50x8.00
Altura 30 mm
Tipo de memoria interna DDR3
Componente para Computadora portátil
Voltaje de memoria 1.35 V
Velocidad de memoria del reloj 1600 MHz
Forma de factor de memoria 204-pin SO-DIMM
Intervalo de temperatura operativa 0 - 85 °C
Intervalo de temperatura de almacenaje -55 - 100 °C
Memoria RAM 4 GB
Módulos de Memoria 1 x 4 GB
ECC No
Diseño de memoria (módulos x tamaño) 1 x 4 GB
Latencia CAS 11
Configuración de módulos 512M X 64
Placa de plomo Oro
Buffered memory type Unregistered (unbuffered)
Tiempo de ciclo de fila 48.125 ns
Tiempo de actualización de ciclo de fila 260 ns
Tiempo activo en fila 35 ns
Capacidad Total de la Memoria RAM 4 GB