Memoria RAM Kingston DDR4 2666MHz 8GB Non-ECC CL19 SO-DIMM
Memoria RAM Kingston DDR4 2666MHz 8GB Non-ECC CL19 SO-DIMM
Peso y dimensiones
Altura	30 mm
Ancho	69.6 mm
Detalles técnicos
Doesn't contain	Halógeno
Sustainability certificates	RoHS
Memoria
Latencia CAS	19
Diseño de memoria (módulos x tamaño)	1 x 8 GB
Componente para	Portátil
Voltaje de memoria	1.2 V
Configuración de módulos	1024M x 64
Tiempo activo en fila	32 ns
Tipo de memoria interna	DDR4
Memoria interna	8 GB
Clasificación de memoria	1
Velocidad de memoria del reloj	2666 MHz
ECC	No
Programming power voltage (VPP)	2.5 V
Tiempo de ciclo de fila	45.75 ns
Tiempo de actualización de ciclo de fila	350 ns
Requisitos del sistema
Sistema operativo Windows soportado	Si
Otras características
Factor de forma	260-pin SO-DIMM
Diseño
JEDEC standard	Si
Condiciones ambientales
Intervalo de temperatura operativa	0 - 85 °C
Intervalo de temperatura de almacenaje	-55 - 100 °C
| Dimensiones | 6.50x3.00x10.00 | 
| Marca | Kingston | 
| Modelo | KVR26S19S8/8 | 
| Velocidad | 2666 MHz | 
| Productos compatibles | Acer - Aspire Nitro 5 (AN515-42-xxx)\nAcer - Aspire Nitro 5 (AN515-52-xxx)\nAcer - Aspire Nitro 5 (AN515-53-xxx)\nAcer - Predator Helios 300 (PH315-xx-xxx)\nASUS/ASmobile - ROG G703GI Notebook\nASUS/ASmobile - ROG SCAR Edition GL703GE Notebook\nASUS/ASmobile - ROG SCAR Edition GL703GM Notebook\nASUS/ASmobile - ROG SCAR Edition GL703GS Notebook\nASUS/ASmobile - ROG SCAR II GL504GM Notebook\nASUS/ASmobile - ROG Strix Hero Edition Notebook\nASUS/ASmobile - ROG ZEPHYRUS M (GM501) Notebook\nASUS/ASmobile - ROG ZEPHYRUS M (GU501) Notebook\nASUS/ASmobile - TUF Notebook Gaming FX504\nASUS/ASmobile - VivoBook Pro 15 N580GD\nGigabyte - AERO Laptop 15/15X (i7-8750H)\nMSI - Notebook GE63 Raider RGB 8RE\nMSI - Notebook GE63 Raider RGB 8RF\nMSI - Notebook GE73 Raider RGB 8RE\nMSI - Notebook GE73 Raider RGB 8RF\nMSI - Notebook GF62 8RD\nMSI - Notebook GF62 8RE\nMSI - Notebook GL63 8RC\nMSI - Notebook GL63 8RD\nMSI - Notebook GL73 8RD\nMSI - Notebook GP63 LEOPARD 8RE\nMSI - Notebook GP73 Leopard 8RD\nMSI - Notebook GP73 Leopard 8RE\nMSI - Notebook GS63 Stealth 8RD\nMSI - Notebook GS63 Stealth 8RE\nMSI - Notebook GS65 Stealth Thin 8RE\nMSI - Notebook GS65 Stealth Thin 8RF\nMSI - Notebook GS73 Stealth 8RD\nMSI - Notebook GS73 Stealth 8RE\nMSI - Notebook GS73 Stealth 8RF\nMSI - Notebook GT63 Titan 8RF\nMSI - Notebook GT63 Titan 8RG\nMSI - Notebook GT75 8RG Titan\nMSI - Notebook GT75 Titan 8RF\nMSI - Notebook GT83 Titan 8RF\nMSI - Notebook GT83 Titan 8RG\nMSI - Notebook GV62 8RC\nMSI - Notebook WE63 8SJ\nMSI - Notebook WS63 8Sx\nShuttle - XPC Slim DH310\nSupermicro - SuperServer E300-9C (Super X11SCV-Q) | 
| Factor de forma | DDR4 | 
| Altura | 30 mm | 
| Memoria Interna | 8 GB | 
| Latencia cas | 19 | 
| Tipo de memoria interna | DDR4 | 
| Componente para | Portátil | 
| Profundidad | 3,7 mm | 
| Voltaje de memoria | 1.2 V | 
| Velocidad de memoria del reloj | 2666 MHz | 
| Forma de factor de memoria | 260-pin SO-DIMM | 
| Voltaje | 1.2v | 
| Tecnología | DDR4 SDRAM | 
| Intervalo de temperatura operativa | 0 - 85 °C | 
| Acorde RoHS | Si | 
| Sistema operativo Windows soportado | Si | 
| Artículo | Memoria Ram | 
| Intervalo de temperatura de almacenaje | -55 - 100 °C | 
| Frecuencia | 2666mhz | 
| Condición del ítem | Nuevo | 
| Línea | ValueRAM | 
| Cantidad de pines | 260 | 
| Aplicación | Laptops | 
| Tasa de transferencia | 21300 MB/s | 
| Capacidad | 8 GB | 
| Capacidad total | 8 GB | 
| Formato | SODIMM | 
| Módulos de Memoria | 1 x 8 GB | 
| Voltaje de alimentación | 1.2V | 
| Tipo de módulo | SODIMM | 
| ECC | No | 
| Diseño de memoria (módulos x tamaño) | 1 x 8 GB | 
| Latencia CAS | CL19 | 
| Configuración de módulos | 1024M x 64 | 
| Clasificación de memoria | 1 | 
| Tiempo de ciclo de fila | 45,75 ns | 
| Tiempo de actualización de ciclo de fila | 350 ns | 
| Tiempo activo en fila | 32 ns | 
| Programador de potencia de voltaje (VPP) | 2,5 V | 
| Estándar JEDEC | Si | 
| Rango | 1R (rango único) | 
| Tipo de modulo | Ddr4 | 
| Numero de pines | 260 pin | 
| Cl | 19 ciclos | 
| Libre de halógenos | Si | 
| Verificación de errores | No ECC |