HX316LS9IB/4-OB
                HX316LS9IB/4-OB
                KINGSTON
                740617233339
                
                
                
                    
                        
                            
                                
                        
                    
                
                
                
                    
                            
                                
                                    
                                            
                                
                            
                     
                
                
                
                
                    
                
                
                
            
        MEMORIA SODIMM DDR3 KINGSTON HYPERX IMPACT 4GB 1600MHZ HX316LS9IB/4
                            | Línea | HyperX o HyperX Impact | 
| Dimensiones | 6.00x2.00x18.00 | 
| Color | Negro | 
| Marca | Kingston | 
| Modelo | HX316LS9IB/4 | 
| Upc | 740617233339 | 
| Color del Producto | Negro | 
| Velocidad | 1600 MHz | 
| Montaje en rack | 240-pin SODIMM | 
| Altura | 30 mm | 
| Tipo de memoria | PC3-12000 | 
| Tipo de embalaje | SO-DIMM | 
| Memoria Interna | 4096 MB | 
| Latencia cas | 9 | 
| Tipo de memoria interna | DDR3 | 
| Componente para | Portátil | 
| Voltaje de memoria | 1.35 V | 
| Velocidad de memoria del reloj | 1600 MHz | 
| Forma de factor de memoria | 204-pin SO-DIMM | 
| Tecnología | DDR3 SDRAM | 
| Intervalo de temperatura operativa | 0 - 85 °C | 
| Sistema operativo Windows soportado | Si | 
| Sistema operativo MAC soportado | Si | 
| Sistema operativo Linux soportado | Si | 
| Intervalo de temperatura de almacenaje | -55 - 100 °C | 
| Ancho de datos | 64 bit | 
| Condición del ítem | Nuevo | 
| Cantidad de pines | 204 | 
| Es gamer | Sí | 
| Aplicación | Laptops | 
| Código universal de producto | 740617233339 | 
| Tasa de transferencia | 12800 MB/s | 
| Capacidad total | 4 GB | 
| Formato | SODIMM | 
| Módulos de Memoria | 1 x 4 GB | 
| Voltaje de alimentación | 1.35V | 
| ECC | No | 
| Diseño de memoria (módulos x tamaño) | 1 x 4 GB | 
| Latencia CAS | 9 | 
| Memoria sin buffer | Si | 
| Configuración de módulos | 512M x 64 | 
| Placa de plomo | Oro | 
| Número de pines | 204 | 
| Registrado | No | 
| Disposición de memoria | 1 x 4096 MB | 
| Organización de los chips | x8 | 
| Velocidad del reloj de bus | 1600 MHz | 
| Indicación de error | No | 
| Periodo de garantía | Lifetime | 
| Clasificación de memoria | 1 | 
| Tiempo de ciclo de fila | 48,125 ns | 
| Tiempo de actualización de ciclo de fila | 260 ns | 
| Tiempo activo en fila | 33,75 ns |